作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅(FD-SOI)晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。
萨瑞新型基于SOTBTM技术的芯片将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一
瑞萨利用其独特的SOTB工艺技术开发出能量收集芯片，该芯片可收集20μA/ MHz的低有效电流和150 nA的深度待机电流。 该产品超低功率性能使其可以在端点帮助连接物联网传感设备实现免维护功能。 对于从事芯片安装工艺的消费电子产品开发商而言，如何通过这些传感器节点内的能量收集功能设计免维护设备，特别是在可穿戴设备、智能家居应用、手表、便携式设备和基础设施监控系统中实现免维护功能，变得越来越重要。
超低能耗设备
瑞萨选择Soitec衬底作为其超薄而均匀的活性层，该衬底是目前在大批量生产的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec衬底，瑞萨SOTB芯片组可以增强对晶体管静电的控制，并将待机和有效电流降低到前所未有的水平。 此外，瑞萨还成功交付了无障碍通道，以抑制超低电压操作的Vth变化，以及超低功率反偏置控制，同时降低待机电流。
Soitec数字电子业务部执行副总裁Christophe Maleville表示： “Soitec与瑞萨团队在SOTB技术开发方面的紧密合作进一步表明全耗尽设备将彻底改变我们的日常生活。我们很高兴能成为瑞萨SOTB系列产品中的一员。我们也期待在推动超低功率设备创新这个生态系统成长方面贡献自己的绵薄之力。”
瑞萨工业解决方案业务部家庭业务部副总裁Toru Moriya先生表示：“为了推动物联网和消费应用的创新，我们将我们独有的能量收集技术SOTB集成到我们的能量收集控制器中。我们相信，基于Soitec超薄衬底的瑞萨SOTB技术可以为开发无需电源供应和更换的免维护物联网设备提供无与伦比的性能，从而促进基于端点智能的全新物联网市场的发展。”
